DDR5 với tốc độ 9200 MT/s
Micron đã giới thiệu sản phẩm dẫn đầu của mình trong dòng 1γ, đó là chip DDR5 16Gb (2GB) được định mức ở tốc độ truyền dữ liệu 9200 MT/s với điện áp tiêu chuẩn công nghiệp là 1,1V. So với thế hệ trước – chip DDR5 16Gb được sản xuất trên quy trình 1β – thiết bị mới tiêu thụ ít hơn 20% điện năng và có mật độ bit cao hơn 30%, điều này có thể dẫn đến việc giảm chi phí sản xuất tương ứng khi các chip mới đạt được tỷ lệ sản phẩm đạt chất lượng tương đương với các thiết bị 1β 16Gb DRAM.
Mặc dù Micron định mức các chip DDR5 16Gb mới nhất của mình ở tốc độ 9200 MT/s, mức tốc độ này cao hơn đáng kể so với bất kỳ thông số nào trong phiên bản mới nhất của đặc tả DDR5. Công ty nhấn mạnh rằng chip này vẫn có thể hoạt động tốt ở các cấp tốc độ tuân thủ JEDEC, và tốc độ cao hơn sẽ mang lại khả năng tương thích với các CPU thế hệ tiếp theo cũng như một số tính năng “chống lỗi thời” trong tương lai. Micron cũng gợi ý rằng các mô-đun bộ nhớ CUDIMM hoặc dựa trên CXL có thể tận dụng tốc độ vượt chuẩn JEDEC. Các DIMM dành cho người dùng đam mê cũng có khả năng sẽ áp dụng các DRAM mới này cho các mô-đun vượt mốc 10.000 MT/s.
Micron hiện đang cung cấp mẫu thử các chip DDR5 16Gb được sản xuất trên công nghệ 1γ cùng với các sản phẩm dựa trên chúng (tức là chip và mô-đun) cho các nhà sản xuất máy tính xách tay và máy chủ. Quá trình kiểm định dự kiến sẽ hoàn thành trong một hoặc hai quý. Điều này có nghĩa là chúng ta sẽ bắt đầu thấy các thiết bị bộ nhớ mới nhất của Micron trên các sản phẩm bán lẻ từ giữa năm 2025. Công ty kỳ vọng tất cả các loại mô-đun bộ nhớ – dành cho máy tính để bàn, máy tính xách tay và máy chủ – sẽ áp dụng các chip bộ nhớ mới này.
Với việc các DRAM dựa trên 1γ của Micron mang lại sự kết hợp của những phẩm chất giá trị cho mọi phân khúc thị trường – hiệu suất nâng cao cho máy tính để bàn, cùng với mức tiêu thụ điện năng thấp hơn cho máy tính xách tay và máy chủ – chúng tôi thực sự mong đợi các chip DDR5 16Gb mới nhất của công ty sẽ trở nên rất phổ biến khi chúng được đưa ra thị trường.
Theo thời gian, Micron sẽ sử dụng công nghệ sản xuất 1γ để tạo ra các loại sản phẩm bộ nhớ khác, bao gồm GDDR7, LPDDR5X (với tốc độ lên đến 9600 MT/s), và các sản phẩm cấp trung tâm dữ liệu. Do đó, công nghệ 1γ sẽ trở thành “ngựa kéo” chính cho công ty.
Công nghệ sản xuất 1γ
Quy trình sản xuất 1γ của Micron là công nghệ đầu tiên của công ty áp dụng kỹ thuật quang khắc cực tím sâu (EUV), điều mà các nhà sản xuất bộ nhớ hàng đầu khác đã áp dụng từ vài năm trước. Việc này đã được chờ đợi từ lâu và dường như mang lại những lợi ích đáng kể so với các dòng sản phẩm hiện tại.
Micron không tiết lộ có bao nhiêu lớp EUV được sử dụng trong quy trình sản xuất mới này, nhưng chúng ta có thể suy đoán rằng công ty sử dụng EUV cho các lớp quan trọng mà nếu không sẽ yêu cầu sử dụng kỹ thuật đa mẫu (multi-patterning), vốn làm kéo dài chu kỳ sản xuất và có thể ảnh hưởng đến tỷ lệ sản phẩm đạt chất lượng. Micron cho biết 1γ kết hợp EUV với các kỹ thuật DUV đa mẫu. Ngoài ra, công nghệ quy trình DRAM 1γ của Micron còn áp dụng công nghệ cổng kim loại cao-K thế hệ tiếp theo và một mạch back-end-of-line (BEOL) hoàn toàn mới.
Shigeru Shiratake, Phó Chủ tịch cấp cao phụ trách Phát triển Công nghệ DRAM tại Micron, cho biết: “Ngoài việc áp dụng EUV trong 1γ, chúng tôi đã giới thiệu CMOS cổng kim loại cao-K thế hệ tiếp theo và quy trình back-end-of-line tiên tiến, những thứ cùng nhau cho phép đạt được tốc độ truyền dữ liệu 9200 MT/s, cải thiện hiệu suất 15% so với DRAM 1β, đồng thời giảm khoảng 20% mức tiêu thụ điện năng so với 1β.”
Hiện tại, Micron sản xuất các DRAM 1γ tại các nhà máy của mình ở Nhật Bản, nơi công ty đã lắp đặt công cụ EUV đầu tiên vào năm 2024. Khi công ty tăng cường sản xuất bộ nhớ 1γ, họ sẽ bổ sung thêm các hệ thống EUV vào các nhà máy ở Nhật Bản và Đài Loan.
