SK hynix hoàn tất phát triển HBM4 thế hệ mới — giao tiếp 2.048-bit, tốc độ 10 GT/s cho thế hệ tăng tốc AI tiếp theo
SK hynix vừa chính thức tuyên bố hoàn tất phát triển bộ nhớ HBM4, sẵn sàng bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt. Dòng HBM4 mới của hãng vượt tiêu chuẩn JEDEC tới 25% về hiệu năng, mở đường cho thế hệ bộ tăng tốc AI ra mắt từ năm 2026 của Nvidia, AMD, Broadcom và các đối tác khác.
Theo công bố, HBM4 của SK hynix sở hữu giao tiếp 2.048-bit, lần đầu tiên được mở rộng gấp đôi kể từ năm 2015, cùng tốc độ truyền dữ liệu 10 GT/s — cao hơn 25% so với chuẩn JEDEC (8 GT/s). Bộ nhớ được chế tạo dựa trên quy trình 1b-nm (thế hệ 10nm thứ 5), mang lại sự cân bằng giữa hiệu năng, hiệu suất năng lượng và độ ổn định của tiến trình sản xuất.
SK hynix tiếp tục áp dụng công nghệ Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) — quy trình gắn kết nhiều lớp DRAM trong một lần nung chảy duy nhất, giúp giữ chiều cao của chip 12-Hi trong giới hạn tiêu chuẩn và cải thiện khả năng tản nhiệt cho các mô-đun công suất cao.
Ông Joohwan Cho, Trưởng bộ phận phát triển HBM của SK hynix, chia sẻ:
“Việc hoàn tất phát triển HBM4 là cột mốc quan trọng cho toàn ngành. Chúng tôi sẽ cung cấp sản phẩm đáp ứng yêu cầu về hiệu năng, hiệu suất và độ tin cậy, giúp khách hàng rút ngắn thời gian ra mắt và duy trì lợi thế cạnh tranh.”
Dù SK hynix chưa tiết lộ số lớp DRAM và dung lượng của chip HBM4, giới quan sát dự đoán các mô-đun 12-Hi 36 GB sẽ được sử dụng trong GPU trung tâm dữ liệu Nvidia Rubin sắp tới. Hãng cũng chưa xác nhận loại die logic nền (12FFC+ hay N5 của TSMC) được áp dụng.
Điểm đáng chú ý là SK hynix đã vượt tiêu chuẩn JEDEC khi chứng nhận HBM4 ở tốc độ 10 GT/s, trong khi Micron đang thử nghiệm HBM4 đạt 9.2 GT/s, và Rambus cũng đã có bộ điều khiển hỗ trợ 10 GT/s. Dù hiện tại các nhà phát triển chip có thể chưa tận dụng hết mức này, nhưng nó tạo ra “dự phòng hiệu năng” đáng giá cho tương lai.
SK hynix khẳng định đã sẵn sàng sản xuất hàng loạt HBM4, song chưa công bố thời điểm bắt đầu sản xuất quy mô lớn.
a
